规格书 |
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文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 10A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 2A, 1V |
功率 - 最大 | 1.67W |
频率转换 | 40MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 80 V |
集电极最大直流电流 | 10 A |
最小直流电流增益 | 60@2A@1V |
最大工作频率 | 40(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1670 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | PNP |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 80 V |
发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 80 V |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220 |
连续集电极电流 | - 10 A |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Tube |
工厂包装数量 | 50 |
集电极最大直流电流 | 10 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 40(Typ) |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大功率耗散 | 1670 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 80 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 40MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 1.67W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 2A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
系列 | KSE45H |
单位重量 | 0.063493 oz |
集电极电流( DC)(最大值) | 10 A |
集电极 - 发射极电压 | 80 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 40 MHz |
功率耗散 | 1.67 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 60 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 40 MHz |
直流电流增益 | 60 |
集电极电流(DC ) | 10 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
身高 | 9.4 mm |
长度 | 10.1 mm |
Pd - Power Dissipation | 50 W |
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